Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SQ2303ES-T1_GE3 simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SQ2303ES-T1_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Transistor MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101, TrenchFET®
Introduction au projet
Caractéristiques SQ2303ES-T1_GE3
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | P-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 2.5A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 210pF @ 25V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 1.9W (comité technique) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 170 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-236 (SOT-23) |
| Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage SQ2303ES-T1_GE3
Détection
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable