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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMG302PU-7 simples

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMG302PU-7
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet

Caractéristiques DMG302PU-7

Statut de partie Actif
Type de FET P-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 25V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 170mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 27.2pF @ 10V
Vgs (maximum) 8V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 320mW (ventres)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 10 ohms @ 200mA, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-23
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage DMG302PU-7

Détection

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Nombre de pièces:
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