Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMG302PU-7 simples
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMG302PU-7
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques DMG302PU-7
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | P-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 25V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 170mA (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 27.2pF @ 10V |
Vgs (maximum) | 8V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 320mW (ventres) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 10 ohms @ 200mA, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23 |
Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage DMG302PU-7
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable