TK7P65W, transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de RQ simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
TK7P65W, RQ
Fabricant:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description:
Transistor MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
DTMOSIV
Introduction au projet
TK7P65W, caractéristiques de RQ
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 6.8A (ventres) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 490pF @ 300V |
| Vgs (maximum) | ±30V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 60W (comité technique) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 800 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | DPAK |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
TK7P65W, emballage de RQ
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable