Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de DMN2300UFB4-7B simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMN2300UFB4-7B
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de DMN2300UFB4-7B
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 1.3A (ventres) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 950mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 64.3pF @ 25V |
| Vgs (maximum) | ±8V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 500mW (ventres) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 175 mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | X2-DFN1006-3 |
| Paquet/cas | 3-XFDFN |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de DMN2300UFB4-7B
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable