Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STB11NM60FDT4 simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STB11NM60FDT4
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
FDmesh™
Introduction au projet
Caractéristiques STB11NM60FDT4
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 11A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Vgs (maximum) | - |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 160W (comité technique) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | - |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | D2PAK |
| Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage STB11NM60FDT4
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable