Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de STP11NM60FDFP simples
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STP11NM60FDFP
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
FDmesh™
Introduction au projet
Caractéristiques de STP11NM60FDFP
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 600V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 11A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 900pF @ 25V |
Vgs (maximum) | - |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 35W (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
Température de fonctionnement | - |
Montage du type | Par le trou |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220FP |
Paquet/cas | Plein paquet TO-220-3 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de STP11NM60FDFP
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable