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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STW38N65M5 simples

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STW38N65M5
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
MDmesh™ V
Introduction au projet

Caractéristiques STW38N65M5

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 650V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 30A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 71nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 3000pF @ 100V
Vgs (maximum) ±25V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 190W (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 95 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur TO-247
Paquet/cas TO-247-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage STW38N65M5

Détection

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Nombre de pièces:
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