Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ IPW65R099C6FKSA1 simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
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Les spécifications
Description:
Transistor MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
Numéro de la pièce:
IPW65R099C6FKSA1
Fabricant:
Infineon Technologies
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
CoolMOS™
Introduction au projet
Caractéristiques IPW65R099C6FKSA1
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 38A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3.5V @ 1.2mA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 127nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 2780pF @ 100V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 278W (comité technique) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 99 mOhm @ 12.8A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO247-3 |
| Paquet/cas | TO-247-3 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage IPW65R099C6FKSA1
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable