Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de TPH3202PD simples
Les spécifications
Description:
FET 600V 9A TO220 de CASCODE GAN
Numéro de la pièce:
TPH3202PD
Fabricant:
Transphorm
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de TPH3202PD
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal |
Technologie | GaNFET (nitrure de gallium) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 600V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 9A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 760pF @ 480V |
Vgs (maximum) | ±18V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 65W (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220 |
Paquet/cas | TO-220-3 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de TPH3202PD
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable