Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STF18NM80 simples
Les spécifications
Description:
Transistor MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP
Numéro de la pièce:
STF18NM80
Fabricant:
STMicroelectronics
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série:
MDmesh™
Introduction au projet
Caractéristiques STF18NM80
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 800V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 17A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 2070pF @ 50V |
Vgs (maximum) | ±30V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 40W (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 295 mOhm @ 8.5A, 10V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220FP |
Paquet/cas | Plein paquet TO-220-3 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage STF18NM80
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable