Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON2400 simples
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Description:
Transistor MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B
Numéro de la pièce:
AON2400
Fabricant:
Alpha & ; Omega Semiconductor Inc.
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques AON2400
| Statut de partie | Achat de la fois passée |
|---|---|
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 8V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 8A (ventres) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 750mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1645pF @ 4V |
| Vgs (maximum) | ±5V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 2.8W (ventres) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 11 mOhm @ 8A, 2.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 6-DFN-EP (2x2) |
| Paquet/cas | 6-UDFN a exposé la protection |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage AON2400
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable