Envoyer le message
À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN10H220L-13 simples

Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN10H220L-13 simples

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Description:
Transistor MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Numéro de la pièce:
DMN10H220L-13
Fabricant:
Diodes incorporées
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet

Caractéristiques DMN10H220L-13

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 100V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 1.4A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 401pF @ 25V
Vgs (maximum) -
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 1.3W (ventres)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-23
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage DMN10H220L-13

Détection

Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN10H220L-13 simplesTransistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN10H220L-13 simplesTransistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN10H220L-13 simplesTransistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN10H220L-13 simples

Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable