Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN10H220L-13 simples
Les spécifications
Description:
Transistor MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Numéro de la pièce:
DMN10H220L-13
Fabricant:
Diodes incorporées
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques DMN10H220L-13
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 100V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 1.4A (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 401pF @ 25V |
Vgs (maximum) | - |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 1.3W (ventres) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23 |
Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage DMN10H220L-13
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable