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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ LET9180

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ LET9180

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ LET9180
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ LET9180
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
LET9180
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
TRANSISTOR LDMOS M246 D'IC RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques LET9180

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 860MHz
Gain 20dB
Tension - essai 32V
Estimation actuelle 24A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 175W
Tension - évaluée 80V
Paquet/cas M246
Paquet de dispositif de fournisseur M246
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage LET9180

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ LET9180Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ LET9180Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ LET9180Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ LET9180

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Nombre de pièces:
Negotiable
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