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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLP05H635XRY
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLP05H635XRY

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 108MHz
Gain 27dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 10mA
Puissance de sortie 35W
Tension - évaluée 135V
Paquet/cas SOT-1223-2
Paquet de dispositif de fournisseur 4-HSOPF
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLP05H635XRY

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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