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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF8P20160HSR5

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF8P20160HSR5

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF8P20160HSR5
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF8P20160HSR5
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF8P20160HSR5
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF8P20160HSR5

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS (double)
Fréquence 1.92GHz
Gain 16.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 550mA
Puissance de sortie 37W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas NI-780S-4
Paquet de dispositif de fournisseur NI-780S-4
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF8P20160HSR5

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF8P20160HSR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF8P20160HSR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF8P20160HSR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF8P20160HSR5

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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