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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLL1214-250R, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLL1214-250R, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLL1214-250R, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLL1214-250R, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLL1214-250R, 112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 75V 13DB SOT502A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLL1214-250R, 112 caractéristiques

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.2GHz | 1.4GHz
Gain 13dB
Tension - essai 36V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 150mA
Puissance de sortie 250W
Tension - évaluée 75V
Paquet/cas SOT-502A
Paquet de dispositif de fournisseur LDMOST
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLL1214-250R, emballage 112

Détection

BLL1214-250R, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLL1214-250R, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLL1214-250R, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLL1214-250R, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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