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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF282ZR1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF282ZR1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF282ZR1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF282ZR1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF282ZR1
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF282ZR1

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2GHz
Gain 11.5dB
Tension - essai 26V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 75mA
Puissance de sortie 10W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas NI-200Z
Paquet de dispositif de fournisseur NI-200Z
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF282ZR1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF282ZR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF282ZR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF282ZR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF282ZR1

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Nombre de pièces:
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