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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLF8G22L-160BV, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF8G22L-160BV, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF8G22L-160BV, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLF8G22L-160BV, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF8G22L-160BV, 112
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
TRANSISTOR CDFM6
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLF8G22L-160BV, 112 caractéristiques

Statut de partie Actif
Type de transistor -
Fréquence -
Gain -
Tension - essai -
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie -
Tension - évaluée -
Paquet/cas SOT-1120B
Paquet de dispositif de fournisseur CDFM6
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLF8G22L-160BV, emballage 112

Détection

BLF8G22L-160BV, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF8G22L-160BV, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF8G22L-160BV, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF8G22L-160BV, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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