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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLL6G1214L-250,112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 89V 15DB SOT502A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BLL6G1214L-250,112

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.2GHz | 1.4GHz
Gain 15dB
Tension - essai 36V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 150mA
Puissance de sortie 250W
Tension - évaluée 89V
Paquet/cas SOT-502A
Paquet de dispositif de fournisseur LDMOST
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLL6G1214L-250,112

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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