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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G24L-100,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G24L-100,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G24L-100,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G24L-100,112
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF7G24L-100,112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 18DB SOT502A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BLF7G24L-100,112

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2.3GHz | 2.4GHz
Gain 18dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 28A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 900mA
Puissance de sortie 20W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-502A
Paquet de dispositif de fournisseur LDMOST
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLF7G24L-100,112

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G24L-100,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G24L-100,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G24L-100,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G24L-100,112

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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