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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > BLF6G22L-40P, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF6G22L-40P, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF6G22L-40P, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLF6G22L-40P, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF6G22L-40P, 112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLF6G22L-40P, 112 caractéristiques

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 2.11GHz | 2.17GHz
Gain 19dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 16A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 410mA
Puissance de sortie 13.5W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-1121A
Paquet de dispositif de fournisseur CDFM4
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLF6G22L-40P, emballage 112

Détection

BLF6G22L-40P, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G22L-40P, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G22L-40P, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G22L-40P, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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