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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLC6G27-100,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLC6G27-100,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLC6G27-100,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLC6G27-100,112
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLC6G27-100,112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET 28V SOT895A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BLC6G27-100,112

Statut de partie Obsolète
Type de transistor -
Fréquence -
Gain -
Tension - essai -
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie 14W
Tension - évaluée 28V
Paquet/cas SOT-895A
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-895A
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLC6G27-100,112

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLC6G27-100,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLC6G27-100,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLC6G27-100,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLC6G27-100,112

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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