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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJ

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJ

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJ
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJ
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF6G27-10GHJ
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 19DB SOT975C de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLF6G27-10GHJ

Statut de partie Achat de la fois passée
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2.5GHz | 2.7GHz
Gain 19dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 3.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 130mA
Puissance de sortie 2W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-975C
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-975C
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLF6G27-10GHJ

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJ

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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