Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ XF1001-SC-0G00
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
XF1001-SC-0G00
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
Transport HFET 1W SOT89
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet
Caractéristiques XF1001-SC-0G00
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de transistor | HFET |
| Fréquence | 6GHz |
| Gain | 15.5dB |
| Tension - essai | 8V |
| Estimation actuelle | 450mA |
| Chiffre de bruit | 4.5dB |
| Actuel - essai | 300mA |
| Puissance de sortie | - |
| Tension - évaluée | 9V |
| Paquet/cas | TO-243AA |
| Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-89-3 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage XF1001-SC-0G00
Détection
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable