Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MAGX-002731-180L00
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MAGX-002731-180L00
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
HEMT 180W 2.7-3.1GHZ des FETS RF GAN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet
Caractéristiques MAGX-002731-180L00
| Statut de partie | Obsolète |
|---|---|
| Type de transistor | HEMT |
| Fréquence | 2.7GHz | 3.1GHz |
| Gain | 11.2dB |
| Tension - essai | 50V |
| Estimation actuelle | 500mA |
| Chiffre de bruit | - |
| Actuel - essai | 500mA |
| Puissance de sortie | 180W |
| Tension - évaluée | 65V |
| Paquet/cas | - |
| Paquet de dispositif de fournisseur | - |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage MAGX-002731-180L00
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable