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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G24LS-240AVU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G24LS-240AVU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G24LS-240AVU
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G24LS-240AVU
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLC8G24LS-240AVU
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
Transport RF 240W 65V LDMOS SOT1252
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLC8G24LS-240AVU

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double)
Fréquence 2.3GHz | 2.4GHz
Gain 15dB
Tension - essai 30V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 800mA
Puissance de sortie 63W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-1252-1
Paquet de dispositif de fournisseur SOT1252-1
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLC8G24LS-240AVU

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G24LS-240AVUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G24LS-240AVUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G24LS-240AVUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G24LS-240AVU

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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