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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MAGX-001214-500L0S

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MAGX-001214-500L0S

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MAGX-001214-500L0S
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MAGX-001214-500L0S
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MAGX-001214-500L0S
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de MAGX-001214-500L0S

Statut de partie Obsolète
Type de transistor HEMT
Fréquence 1.2GHz | 1.4GHz
Gain 19.22dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle 18.1A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 400mA
Puissance de sortie 500W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas -
Paquet de dispositif de fournisseur -
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de MAGX-001214-500L0S

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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