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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BF1101WR, puce de 135 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BF1101WR, puce de 135 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BF1101WR, puce de 135 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BF1101WR, puce de 135 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BF1101WR, 135
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
Transistor MOSFET N-CH 7V DOUBLE SOT343R
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BF1101WR, 135 caractéristiques

Statut de partie Obsolète
Type de transistor N-canal à double portail
Fréquence 800MHz
Gain -
Tension - essai 5V
Estimation actuelle 30mA
Chiffre de bruit 1.7dB
Actuel - essai 12mA
Puissance de sortie -
Tension - évaluée 7V
Paquet/cas SC-82A, SOT-343
Paquet de dispositif de fournisseur CMPAK-4
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BF1101WR, emballage 135

Détection

BF1101WR, puce de 135 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBF1101WR, puce de 135 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBF1101WR, puce de 135 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBF1101WR, puce de 135 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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