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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ ON5230,127

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ ON5230,127

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ ON5230,127
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ ON5230,127
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
ON5230,127
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
TRANSISTOR MOSFET RF SOT226 I2PAK
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques ON5230,127

Statut de partie Obsolète
Type de transistor -
Fréquence -
Gain -
Tension - essai -
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie -
Tension - évaluée -
Paquet/cas TO-262-3 mène longtemps, je ² PAK, TO-262AA
Paquet de dispositif de fournisseur I2PAK
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage ON5230,127

Détection

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Nombre de pièces:
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