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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF466BG

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF466BG

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF466BG
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF466BG
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
ARF466BG
Fabricant:
Microsemi Corporation
Description:
FET N CH 1000V 13A TO264 de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques d'ARF466BG

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal
Fréquence 40.68MHz
Gain 16dB
Tension - essai 150V
Estimation actuelle 13A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie 150W
Tension - évaluée 1000V
Paquet/cas TO-264-3, TO-264AA
Paquet de dispositif de fournisseur TO-264
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage d'ARF466BG

Détection

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Nombre de pièces:
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