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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD85006 L-E Field Effect Transistor

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD85006 L-E Field Effect Transistor

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD85006 L-E Field Effect Transistor
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD85006 L-E Field Effect Transistor
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
PD85006L-E
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
PUISSANCE POWERFLAT5X5 DU TRANSPORT RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

PD85006 L-E Specifications

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 870MHz
Gain 17dB
Tension - essai 13.6V
Estimation actuelle 2A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 200mA
Puissance de sortie 5W
Tension - évaluée 40V
Paquet/cas 8-PowerVDFN
Paquet de dispositif de fournisseur PowerFLAT™ (5x5)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

PD85006 L-E Packaging

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD85006 L-E Field Effect TransistorPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD85006 L-E Field Effect TransistorPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD85006 L-E Field Effect TransistorPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD85006 L-E Field Effect Transistor

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