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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3079ATE12LQ

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3079ATE12LQ

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3079ATE12LQ
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3079ATE12LQ
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
2SK3079ATE12LQ
Fabricant:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description:
MOSF RF N CH 10V PW-X
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques 2SK3079ATE12LQ

Statut de partie Cessé à la Digi-clé
Type de transistor N-canal
Fréquence 470MHz
Gain 13.5dB
Tension - essai 4.5V
Estimation actuelle 3A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 50mA
Puissance de sortie 33.5dBmW
Tension - évaluée 10V
Paquet/cas TO-271AA
Paquet de dispositif de fournisseur PW-X
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage 2SK3079ATE12LQ

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3079ATE12LQPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3079ATE12LQPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3079ATE12LQPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3079ATE12LQ

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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