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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3475TE12IF

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3475TE12IF

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3475TE12IF
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3475TE12IF
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
2SK3475TE12IF
Fabricant:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description:
MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques 2SK3475TE12IF

Statut de partie Cessé à la Digi-clé
Type de transistor N-canal
Fréquence 520MHz
Gain 14.9dB
Tension - essai 7.2V
Estimation actuelle 1A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 50mA
Puissance de sortie 630mW
Tension - évaluée 20V
Paquet/cas TO-243AA
Paquet de dispositif de fournisseur SC-62
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage 2SK3475TE12IF

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3475TE12IFPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3475TE12IFPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3475TE12IFPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ 2SK3475TE12IF

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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