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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ STAC1011-350

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ STAC1011-350

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ STAC1011-350
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ STAC1011-350
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STAC1011-350
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
FET RF 80V 1.09GHZ STAC265B
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques STAC1011-350

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.03GHz | 1.09GHz
Gain 15dB
Tension - essai 36V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 150mA
Puissance de sortie 350W
Tension - évaluée 80V
Paquet/cas STAC265B
Paquet de dispositif de fournisseur STAC265B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage STAC1011-350

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ STAC1011-350Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ STAC1011-350Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ STAC1011-350Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ STAC1011-350

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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