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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF510,215

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF510,215
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF510,215
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BF510,215
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
JFET N-CH 20V 30MA SOT23
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BF510,215

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal JFET
Fréquence 100MHz
Gain -
Tension - essai 10V
Estimation actuelle 30mA
Chiffre de bruit 1.5dB
Actuel - essai 5mA
Puissance de sortie -
Tension - évaluée 20V
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquet de dispositif de fournisseur TO-236AB (SOT23)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BF510,215

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF510,215Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF510,215Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF510,215Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF510,215

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Nombre de pièces:
Negotiable
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