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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPT1007B

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPT1007B

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPT1007B
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPT1007B
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
NPT1007B
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de NPT1007B

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 900MHz
Gain 18.3dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 20.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.4A
Puissance de sortie 53dBm
Tension - évaluée 100V
Paquet/cas -
Paquet de dispositif de fournisseur -
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de NPT1007B

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPT1007BPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPT1007BPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPT1007BPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPT1007B

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Nombre de pièces:
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