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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1108,215

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1108,215

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1108,215
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1108,215
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BF1108,215
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
COMMUTATEUR SOT143B D'IC RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BF1108,215

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal
Fréquence -
Gain -
Tension - essai -
Estimation actuelle 10mA
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie -
Tension - évaluée 3V
Paquet/cas TO-253-4, TO-253AA
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-143B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BF1108,215

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1108,215Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1108,215Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1108,215Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1108,215

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Nombre de pièces:
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