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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGHV96050F1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGHV96050F1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGHV96050F1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGHV96050F1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGHV96050F1
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
FET RF 100V 9.6GHZ 440210
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques CGHV96050F1

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 7.9GHz | 9.6GHz
Gain 17dB
Tension - essai 40V
Estimation actuelle 13A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 32W
Tension - évaluée 100V
Paquet/cas 440210
Paquet de dispositif de fournisseur 440210
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage CGHV96050F1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGHV96050F1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGHV96050F1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGHV96050F1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGHV96050F1

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Nombre de pièces:
Negotiable
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