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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS7G2325L-105,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS7G2325L-105,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS7G2325L-105,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS7G2325L-105,112
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLS7G2325L-105,112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
Transport RF PWR LDMOS 105W SOT502A
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Série:
*
Introduction au projet

Caractéristiques BLS7G2325L-105,112

Statut de partie Actif
Type de transistor -
Fréquence -
Gain -
Tension - essai -
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie -
Tension - évaluée -
Paquet/cas -
Paquet de dispositif de fournisseur -
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLS7G2325L-105,112

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS7G2325L-105,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS7G2325L-105,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS7G2325L-105,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS7G2325L-105,112

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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