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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > BLS7G2729LS-350P, 1 puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ

BLS7G2729LS-350P, 1 puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ

BLS7G2729LS-350P, 1 puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ
BLS7G2729LS-350P, 1 puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLS7G2729LS-350P, 1
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 13DB SOT539B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLS7G2729LS-350P, caractéristiques 1

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 2.7GHz | 2.9GHz
Gain 13dB
Tension - essai 32V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 200mA
Puissance de sortie 350W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT539B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT539B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLS7G2729LS-350P, 1 emballage

Détection

BLS7G2729LS-350P, 1 puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champBLS7G2729LS-350P, 1 puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champBLS7G2729LS-350P, 1 puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champBLS7G2729LS-350P, 1 puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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