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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP8G10S-45PGY

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLP8G10S-45PGY
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLP8G10S-45PGY

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 952.5MHz | 957.5MHz
Gain 20.8dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 224mA
Puissance de sortie 2.5W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas 4-BESOP (0,173", largeur de 4.40mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 4-HSOP
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLP8G10S-45PGY

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable