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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF463AP1G

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF463AP1G

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF463AP1G
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF463AP1G
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
ARF463AP1G
Fabricant:
Microsemi Corporation
Description:
Transistor MOSFET 500V 9A TO-247 de RF PWR
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques d'ARF463AP1G

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal
Fréquence 81.36MHz
Gain 15dB
Tension - essai 125V
Estimation actuelle 9A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie 100W
Tension - évaluée 500V
Paquet/cas TO-247-3
Paquet de dispositif de fournisseur TO-247
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage d'ARF463AP1G

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF463AP1GPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF463AP1GPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF463AP1GPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF463AP1G

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Nombre de pièces:
Negotiable
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