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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'UF2840G

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'UF2840G

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'UF2840G
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'UF2840G
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
UF2840G
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
Transistor MOSFET 40W 28V 100-500MHZ
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques d'UF2840G

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal
Fréquence 100MHz | 500MHz
Gain 10dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 1mA
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 40W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas -
Paquet de dispositif de fournisseur -
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage d'UF2840G

Détection

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Nombre de pièces:
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