Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514L-130,112
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
négociable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLL6H0514L-130,112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet
Caractéristiques BLL6H0514L-130,112
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de transistor | LDMOS |
| Fréquence | 1.2GHz | 1.4GHz |
| Gain | 17dB |
| Tension - essai | 50V |
| Estimation actuelle | 18A |
| Chiffre de bruit | - |
| Actuel - essai | 50mA |
| Puissance de sortie | 130W |
| Tension - évaluée | 100V |
| Paquet/cas | SOT-1135A |
| Paquet de dispositif de fournisseur | CDFM2 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage BLL6H0514L-130,112
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable