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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF275G

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF275G

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF275G
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF275G
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF275G
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de MRF275G

Statut de partie Actif
Type de transistor Double) source commune de 2 N-canaux (
Fréquence 500MHz
Gain 11.2dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 26A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 150W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas 375-04
Paquet de dispositif de fournisseur 375-04, style 2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de MRF275G

Détection

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Nombre de pièces:
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