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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF188XRSU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF188XRSU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF188XRSU
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF188XRSU
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF188XRSU
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLF188XRSU

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 108MHz
Gain 24.4dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 40mA
Puissance de sortie 1400W
Tension - évaluée 135V
Paquet/cas SOT539B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT539B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLF188XRSU

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF188XRSUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF188XRSUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF188XRSUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF188XRSU

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Nombre de pièces:
Negotiable
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