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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGH55030F1
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
FET RF 84V 5.8GHZ 440166
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques CGH55030F1

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 5.5GHz | 5.8GHz
Gain 10dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 3A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 250mA
Puissance de sortie 30W
Tension - évaluée 84V
Paquet/cas 440166
Paquet de dispositif de fournisseur 440166
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage CGH55030F1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F1

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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