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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514-25,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514-25,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514-25,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514-25,112
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLL6H0514-25,112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 100V 21DB SOT467C de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BLL6H0514-25,112

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.2GHz | 1.4GHz
Gain 21dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle 2.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 50mA
Puissance de sortie 25W
Tension - évaluée 100V
Paquet/cas SOT467C
Paquet de dispositif de fournisseur SOT467C
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLL6H0514-25,112

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514-25,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514-25,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514-25,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6H0514-25,112

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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