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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F2

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F2

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F2
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F2
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGH55030F2
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
FET RF 84V 6GHZ 440166
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques CGH55030F2

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 4.5GHz | 6GHz
Gain 11dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 250mA
Puissance de sortie 30W
Tension - évaluée 84V
Paquet/cas 440166
Paquet de dispositif de fournisseur 440166
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage CGH55030F2

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F2Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F2Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F2Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ CGH55030F2

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Nombre de pièces:
Negotiable
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