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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD57060 S-E Field Effect Transistor

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD57060 S-E Field Effect Transistor

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD57060 S-E Field Effect Transistor
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD57060 S-E Field Effect Transistor
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
PD57060S-E
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

PD57060 S-E Specifications

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 945MHz
Gain 14.3dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 7A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 60W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas PowerSO-10 a exposé la protection inférieure
Paquet de dispositif de fournisseur PowerSO-10RF (avance droite)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

PD57060 S-E Packaging

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD57060 S-E Field Effect TransistorPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD57060 S-E Field Effect TransistorPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD57060 S-E Field Effect TransistorPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de PD57060 S-E Field Effect Transistor

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